文 | 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
Q2，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)是炙熱的。
在今年第二季度的第一天，也就是 4 月 1 日開(kāi)始，存儲(chǔ)芯片的漲價(jià)信號(hào)正式釋放。市場(chǎng)此前的消極、低迷情緒隨之改變。
受原廠減產(chǎn)推動(dòng)，其價(jià)格持續(xù)上行。NAND 芯片價(jià)格開(kāi)始回溫，DDR4 價(jià)格一漲再漲，HBM 市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)也步入白熱化。
市場(chǎng)的熱度，正通過(guò) SK 海力士、三星和美光這三大存儲(chǔ)公司的二季度財(cái)報(bào)具體呈現(xiàn)。與此同時(shí)，本輪市場(chǎng)行情的最大贏家也逐步清晰。
SK 海力士，首次奪冠！
SK 海力士 Q2 營(yíng)業(yè)收入為 22.232 萬(wàn)億韓元（約 161.7 億美元）, 同比增長(zhǎng) 35%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為 9.2129 萬(wàn)億韓元，同比暴漲 69%，凈利潤(rùn)為 6.9962 萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng) 70%。該季度 SK 海力士營(yíng)收與營(yíng)業(yè)利潤(rùn)均創(chuàng)下季度業(yè)績(jī)歷史新高。
此前 Counterpoint 高級(jí)研究員 Choi Jeong-ku 曾表示："SK 海力士在 2023 年第一季度遭遇了史上最大季度虧損和減產(chǎn)的痛苦，但隨著 2024 年第一季度實(shí)現(xiàn)了 HBM3E 的全球首次量產(chǎn)，開(kāi)啟了強(qiáng)勁的上升勢(shì)頭。SK 海力士在 2025 年第一季度首次創(chuàng)下了 DRAM 市場(chǎng)銷售額全球第一的紀(jì)錄，并在 2025 年第二季度與三星爭(zhēng)奪整體存儲(chǔ)市場(chǎng)第一的位置。"
如今，這一答案已然揭曉。在 Q1 取得里程碑式成績(jī)后，Q2 SK 海力士首次在全球存儲(chǔ)市場(chǎng)銷售中超越三星。
三星 Q2 營(yíng)收為 74.6 萬(wàn)億韓元 ( 約合 536.5 億美元 ) ，環(huán)比減少 6%，同比增長(zhǎng) 1%；經(jīng)營(yíng)利潤(rùn) 4.7 萬(wàn)億韓元 ( 約合 33.8 億美元 ) ，環(huán)比減少 30%，同比大減 56%；凈利潤(rùn) 5.1 萬(wàn)億韓元 ( 約合 36.7 億美元 ) ，環(huán)比減少 38%，同比減少 48%。
具體業(yè)務(wù)方面，三星電子 Q2 存儲(chǔ)營(yíng)收為 21.2 萬(wàn)億韓元 ( 約合 152.5 億美元 ) ，環(huán)比增長(zhǎng) 11%，同比減少 3%。存儲(chǔ)業(yè)務(wù)所在的 DS 部門(mén) Q2 營(yíng)收 27.9 萬(wàn)億韓元 ( 約合 200.7 億美元 ) ，環(huán)比增長(zhǎng) 11%，同比減少 2%，經(jīng)營(yíng)利潤(rùn)為 0.4 萬(wàn)億韓元 ( 約合 2.9 億美元 ) ，環(huán)比減少 64%，同比減少 94%，為近六季以來(lái)首度跌破萬(wàn)億韓元大關(guān)。
美光 2025 財(cái)年第三財(cái)季財(cái)報(bào)（截至 2025 年 5 月 29 日）顯示，該季度營(yíng)收為 93.01 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 15.5%，同比增長(zhǎng) 36.6%；調(diào)整后運(yùn)營(yíng)收益 24.9 億美元，同比增長(zhǎng) 62%；凈利潤(rùn)為 18.85 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 19%，同比暴增 468%。
這類存儲(chǔ)芯片，引爆市場(chǎng)
在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng) HBM 是當(dāng)之無(wú)愧的香餑餑，但是令人意外的是，DDR4 也在上季度卷入這場(chǎng)熱潮。
DDR4，缺貨仍嚴(yán)重
5 月起，DDR4 開(kāi)始供需失衡，7 月底缺貨情形達(dá)到新的高峰，價(jià)格明顯上漲。DDR4 迅速漲價(jià)，是因?yàn)榇饲罢紦?jù)該系列產(chǎn)品全球市場(chǎng)份額約 95% 的三星、SK 海力士、美光三大存儲(chǔ)巨頭宣布加速淡出 DDR4 產(chǎn)能，引發(fā)市場(chǎng)恐慌性備貨。
而這三大原廠計(jì)劃退出 DDR4 市場(chǎng)是因?yàn)橛?jì)劃將產(chǎn)能向高端產(chǎn)品，比如 HBM3E 等產(chǎn)品傾斜。要知道 HBM3E 毛利率超 60%，是 DDR4 的 3 倍以上，隨著 AI 服務(wù)器需求持續(xù)火爆，HBM3E 有望帶來(lái)更可觀的收入。
當(dāng)前 DDR4 報(bào)價(jià)已高于更高規(guī)格的 DDR5，出現(xiàn) " 價(jià)格倒掛 " 現(xiàn)象，業(yè)界人士直言 "DDR4 現(xiàn)貨價(jià)超過(guò)新一代 DDR5 的奇觀已十年未見(jiàn) "。
巨頭退出后，全球 DDR4 有效供給預(yù)計(jì)下降 50%-60%，消費(fèi)電子領(lǐng)域降幅超 70%，不過(guò)車用、工業(yè)領(lǐng)域因保留供應(yīng)，降幅約 20%-30%。
那么為什么下游客戶不趁此機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)向 DDR5？這是因?yàn)樵诔杀究剂恐?，盡管 DDR5 是未來(lái)趨勢(shì)，但在工業(yè)控制、安防監(jiān)控、電視機(jī)頂盒等對(duì)性能要求不高、但對(duì)穩(wěn)定性和兼容性要求極高的利基市場(chǎng)，DDR4 仍是更具性價(jià)比的選擇。
市場(chǎng)分析指出，7 月底是 DDR4 缺貨最嚴(yán)峻的時(shí)期，此后供需缺口將逐步收斂。但 DDR4 需求走低可能要等到 2026 年——預(yù)計(jì) 2025 年下半年至 2026 年上半年，部分應(yīng)用仍將持續(xù)消耗 DDR4 庫(kù)存，真正大規(guī)模轉(zhuǎn)向 DDR5 或需等到 2026 年下半年。
隨著 DDR4 價(jià)格的持續(xù)走高，這些芯片龍頭似乎也有些 " 坐不住 " 了。最新市場(chǎng)報(bào)告顯示，主要的韓國(guó)制造商可能會(huì)放緩 DDR4 的停產(chǎn)計(jì)劃。
一些內(nèi)存模塊供應(yīng)商透露，SK 海力士在停產(chǎn)態(tài)度上略有軟化，最終訂單的截止日期可能延長(zhǎng)至 2026 年第四季度。
三星已討論通過(guò) 2026 年第二季度延長(zhǎng)使用 1z 和 1a 工藝節(jié)點(diǎn)的 DDR4 晶圓供應(yīng)。然而，三星電子拒絕就生產(chǎn)計(jì)劃傳聞發(fā)表評(píng)論。
HBM 訂單，搶得眼紅
HBM 作為一款高收益 + 高需求的產(chǎn)品，沒(méi)有一家存儲(chǔ)公司看著不眼饞。然而，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) Counterpoint Research 的數(shù)據(jù)顯示，在當(dāng)前的 HBM 市場(chǎng)中，單單是 SK 海力士一家就包攬了 62% 的出貨份額，而三星的市場(chǎng)份額僅為 17%。
SK 海力士與三星的增長(zhǎng)軌跡在 2024 年上半年開(kāi)始明顯分化，至于分化的原因，還要從 HBM3 的量產(chǎn)開(kāi)始。
由于 HBM3 開(kāi)發(fā)進(jìn)度領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，之前很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，SK 海力士都是英偉達(dá) HBM 的獨(dú)家供應(yīng)商。雖說(shuō)之后英偉達(dá)將另外兩大存儲(chǔ)芯片原廠也納入了 HBM 供應(yīng)商名單，但 SK 海力士仍占據(jù)重要地位。
隨后在 2024 年 3 月，SK 海力士宣布成功量產(chǎn)超高性能用于 AI 的存儲(chǔ)器新產(chǎn)品 HBM3E，并在 3 月末開(kāi)始向客戶供貨。相比之下，三星雖推出 HBM3E 產(chǎn)品，但因未獲英偉達(dá)認(rèn)證，HBM 銷售額占 DRAM 收入較低。
于是由 HBM3E 帶來(lái)的豐厚收益大都被 SK 海力士收入囊中。單單是 2024 年上半年，SK 海力士的 HBM 銷售額就增長(zhǎng)了 250% 以上。
盡管已經(jīng)輸?shù)袅说谝粓?chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，但三星已在第二輪競(jìng)爭(zhēng)中卯足力氣。
如今三星押注其 12 層 HBM3E 向 SK 海力士展開(kāi)正面競(jìng)爭(zhēng)。據(jù)韓媒報(bào)道，12 層 HBM3E 是利用硅通孔（TSV）技術(shù)將 DRAM 存儲(chǔ)芯片堆疊到 12 層，這也成為下半年 AI 半導(dǎo)體市場(chǎng)重要戰(zhàn)場(chǎng)。
三星表示 HBM3E 可望于第三季獲得英偉達(dá)認(rèn)證并開(kāi)始出貨，待相關(guān)程序完成后，將可望量產(chǎn)供貨。SK 海力士也加入競(jìng)爭(zhēng)行列，準(zhǔn)備第三季量產(chǎn) 12 層 HBM3E 產(chǎn)品。據(jù)報(bào)道，SK 海力士目前向英偉達(dá)供應(yīng)之前的 8 層 HBM3E，但尚未收到 12 層版本的驗(yàn)證申請(qǐng)。
不過(guò)，僅僅是 12 層 HBM3E 通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，畢竟在 HBM 這條道路上，SK 海力士已占盡先機(jī)。
據(jù)悉，為應(yīng)對(duì) HBM 需求激增，SK 海力士正籌備在清州 M15 工廠增設(shè) HBM 專用后工序產(chǎn)線，這是該工廠第二次增設(shè) HBM 后工序產(chǎn)線。此前，SK 海力士已在 M15 建立 HBM 硅通孔（TSV）加工產(chǎn)線。
除了上述三家存儲(chǔ)芯片龍頭外，近日幾家國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片公司也拿出今年上半年的答卷。
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)公司，交出答卷
DDR4 爆火之際，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片公司也有了 " 可乘之機(jī) "。
兆易創(chuàng)新的 19nm DDR4 芯片受到了工控客戶的搶購(gòu)，瀾起科技DDR4 內(nèi)存接口芯片需求激增。江波龍旗下 Lexar 品牌的 DDR4 內(nèi)存條覆蓋消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)市場(chǎng)。德明利也提供 DDR3、DDR4 存儲(chǔ)等等。
近日，瀾起科技和德明利均公布了 Q2 業(yè)績(jī)預(yù)告，一起看看 Q2 存儲(chǔ)市場(chǎng)的火熱是否在這些公司的財(cái)報(bào)中得到體現(xiàn)？
7 月 14 日，瀾起科技披露業(yè)績(jī)預(yù)告，公司預(yù)計(jì) 2025 年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 26.33 億元，較上年同期增長(zhǎng)約 58.17%，扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)約為 10.30 億元至 11.20 億元，較上年同期增長(zhǎng)約 89.17% 至 105.71%。
這份亮眼財(cái)報(bào)的背后是全球 AI 浪潮下瀾起科技核心產(chǎn)品 DDR5 內(nèi)存接口及模組配套芯片出貨量顯著增長(zhǎng)，且第二子代和第三子代 RCD 芯片出貨量占比增加，推動(dòng)公司內(nèi)存接口及模組配套芯片銷售收入大幅增長(zhǎng)。
7 月 9 日晚間，德明利發(fā)布 2025 年上半年業(yè)績(jī)預(yù)告，公司預(yù)計(jì)上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約 38 億元至 42 億元，同比增長(zhǎng) 74.63% 至 93.01%，歸母凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)為 -8000 萬(wàn)元至 -12000 萬(wàn)元。
公告顯示，報(bào)告期內(nèi)德明利營(yíng)收同比大幅增長(zhǎng)，主要得益于存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需結(jié)構(gòu)的持續(xù)改善及公司高端產(chǎn)品布局成效的持續(xù)釋放。其中 2025 年 Q2 營(yíng)收規(guī)模增速亮眼，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 25.48 億元至 29.48 億元，同比增幅超過(guò) 86.67%。
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性波動(dòng)與地緣政治因素交織影響下，Q2 存儲(chǔ)器市場(chǎng)呈現(xiàn)超預(yù)期反彈態(tài)勢(shì)。TrendForce 集邦咨詢此前數(shù)據(jù)顯示，第二季 DRAM 合約價(jià)季漲幅將上修至 13~18%；NAND Flash 合約價(jià)季漲幅同步上修至約 15~20%，全線產(chǎn)品僅 eMMC/UFS 價(jià)格漲幅較小，約 10%。
此外，TrendForce 還公布了 NAND Flash 在今年 Q3 的價(jià)格走勢(shì)，數(shù)據(jù)顯示，Q3 NAND Flash 合約價(jià)環(huán)比增長(zhǎng) 5% 至 10%。
不過(guò)，仍需重視的是盡管國(guó)際大廠的退出讓出了市場(chǎng)空間，但本土廠商依然面臨許多現(xiàn)實(shí)挑戰(zhàn)。比如，目前國(guó)內(nèi)企業(yè)與國(guó)際巨頭在 HBM 以及最先進(jìn)的 DRAM 制程等高性能存儲(chǔ)領(lǐng)域，仍存在一定差距。
