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近日，氮化鎵（GaN）市場風云再起：臺積電正式宣布將在兩年內(nèi)全面退出 GaN 代工業(yè)務；力積電趁勢接下 Navitas 的訂單，填補臺積電撤退后的產(chǎn)能缺口；英飛凌則全力推進 12 英寸 GaN 產(chǎn)線進程；瑞薩電子暫停碳化硅（SiC）項目、轉(zhuǎn)而加碼 GaN；與此同時，ST 與英諾賽科通過戰(zhàn)略投資與 " 鎖倉 " 延長禁售期，進一步深化綁定關系。這一連串動作，正將 GaN 推向新一輪的內(nèi)卷。

GaN 憑借更高的開關速度、更低的損耗與更小的尺寸，被視為傳統(tǒng)硅器件的 " 潛在繼任者 "。在全球能源轉(zhuǎn)型與高能效驅(qū)動的背景下，GaN 半導體市場正步入加速成長期。尤其是在亞太、北美、歐洲等核心市場，相關企業(yè)正密集布局，爭奪未來制高點。

但在這一輪熱度背后，GaN 的真正考驗正在醞釀—— GaN 能否從快充、消費電源等邊緣應用，邁向電動汽車主驅(qū)系統(tǒng)等高壓核心場景？

臺積電抽身，力積電接棒

臺積電在 7 月 3 日發(fā)表聲明稱，決定在兩年內(nèi)逐步淘汰其 GaN 半導體代工業(yè)務，分析師表示，此舉是由于來自中國的競爭侵蝕了該產(chǎn)品的利潤率。由于對 GaN 低利潤前景感到擔憂，臺積電已決定逐步淘汰其 GaN 業(yè)務，并停止 200 毫米晶圓生產(chǎn)的研發(fā)。報道稱，該決定是在業(yè)務發(fā)展高級副總裁張建軍的建議下，由董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家于 6 月中旬最終確定的。

此前臺積電對 GaN 的押注也很大，例如先后將 6 英寸和 8 英寸廠改為 GaN 產(chǎn)品線。不少廠商還與臺積電建立了戰(zhàn)略合作，例如羅姆（ROHM）、Navitas Semiconductor（耐能半導體），2024 年 12 月，ROHM 還宣布與臺積電建立車載 GaN 功率器件的開發(fā)與量產(chǎn)戰(zhàn)略合作關系。但是架不住近幾年大陸廠商的攻勢。臺積電表示，正與客戶密切合作，確保過渡期順利進行，并盡力滿足客戶未來兩年的需求，逐步退出 GaN 市場不太可能影響其今年的銷售預期。

在此決定影響下，原本委托臺積電代工的 Navitas 宣布，未來將逐步將生產(chǎn)從臺積電轉(zhuǎn)移至力積電（PSMC）。Navitas 表示，PSMC 預計將在位于竹南的工廠生產(chǎn)額定電壓為 100V 至 650V 的 GaN 產(chǎn)品組合，并將于 2026 年上半年首先生產(chǎn) 100V 系列。Navitas 的 GaN 業(yè)務增長不錯，在 2024 年同比增長超過 50%，在移動和消費領域，Navitas 在 2024 年已獲得超過 180 個 GaN 充電器設計訂單，目前為全球十大智能手機制造商供貨。

另一邊 ROHM（羅姆）表示：" 為了維持并深化合作體制，我們將繼續(xù)融合雙方的優(yōu)勢，以適當應對市場和客戶需求。作為這一合作的一部分，關于未來（2027 年以后）的開發(fā)與生產(chǎn)體制，我們計劃探討和協(xié)商多種可能性。"

英飛凌，12 英寸 GaN 量產(chǎn)邁出關鍵一步

盡管臺積電正在退出 GaN 代工，但是另一邊英飛凌卻正在加大投入。據(jù)英飛凌新聞稿稱，憑借其強大的 IDM 模式，英飛凌正在推進其在 300 毫米晶圓上的可擴展 GaN 生產(chǎn)，首批客戶樣品計劃于 2025 年第四季度發(fā)布。

英飛凌已成為首家在其現(xiàn)有量產(chǎn)基礎設施內(nèi)成功開發(fā) 300 毫米 GaN 功率晶圓技術的半導體制造商。在 300 毫米晶圓上生產(chǎn)芯片在技術上比在 200 毫米晶圓上生產(chǎn)芯片更先進，而且效率更高，因為更大的尺寸使每個晶圓的芯片產(chǎn)量增加 2.3 倍。

英飛凌堅信 GaN 市場依然強勁。該公司在新聞稿中表示，GaN 具有更高的功率密度、更快的開關速度和更低的能量損耗，可實現(xiàn)緊湊、節(jié)能的設計，非常適合從智能手機充電器到工業(yè)機器人和太陽能逆變器等各種應用。

瑞薩放棄 SiC，投身 GaN

在 SiC 大潮下，瑞薩電子曾計劃投身 SiC 賽道，但最新消息顯示，瑞薩已暫停 SiC 開發(fā)。據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》的報道，這一決定的背后，是電動汽車市場增長放緩以及中國廠商引發(fā)的 SiC 芯片供應過剩。

另外一個很重要的因素與合作伙伴 Wolfspeed 的破產(chǎn)重組脫不了干系。早在 2023 年 7 月，瑞薩宣布通過與 Wolfspeed 達成為期 10 年的合作協(xié)議，正式進軍碳化硅功率芯片市場。協(xié)議內(nèi)容包括瑞薩預付 20 億美元，鎖定 150 mm 與 200 mm 碳化硅晶圓的長期供應。

原計劃在 2025 年初，于群馬縣高崎市的工廠開始電動汽車用功率芯片的生產(chǎn)。但據(jù)《日經(jīng)新聞》透露，該工廠的 SiC 項目團隊已被解散。目前瑞薩電子正準備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市場、部分 SiC 設計小產(chǎn)線，以及為其未來氮化鎵器件研發(fā)和生產(chǎn)做準備。

瑞薩的 GaN 產(chǎn)品主要基于去年 6 月瑞薩電子所收購的 GaN 企業(yè) Transphorm。最近其推出的三款全新的第四代高壓 650V GaN FET —— TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS 和 TP65H030G4PQS 器件采用強大的 SuperGaN 平臺，該平臺是 Transphorm 公司首創(chuàng)的、經(jīng)過現(xiàn)場驗證的耗盡型 ( d-mode ) 常關型架構(gòu)，

第四代 Plus 產(chǎn)品采用比上一代第四代平臺小 14% 的芯片，實現(xiàn)了 30 毫歐姆 ( m Ω ) 的更低導通電阻 ( RDS ( on ) ) ，導通電阻降低了 14%，導通電阻輸出電容乘積品質(zhì)因數(shù) ( FOM ) 提升了 20%。更小的芯片尺寸降低了系統(tǒng)成本并降低了輸出電容，從而提高了效率和功率密度。這些優(yōu)勢使第四代 Plus 器件非常適合注重成本、散熱要求高的應用，這些應用對高性能、高效率和小尺寸至關重要。它們與現(xiàn)有設計完全兼容，可輕松升級，同時保留現(xiàn)有的工程投資。

ST 與英諾賽科 " 鎖倉 " 合作，

加碼產(chǎn)業(yè)資本護航

氮化鎵（GaN）賽道風起云涌，背后不乏產(chǎn)業(yè)資本深度博弈。近日，GaN 功率器件的國內(nèi)公司英諾賽科（Innoscience）發(fā)布公告，確認其基石投資者意法半導體（STMicroelectronics，簡稱 ST）已主動延長其持有 H 股的禁售期一年。這一 " 鎖倉 " 行為，不僅體現(xiàn)出 ST 對英諾賽科未來發(fā)展的持續(xù)看好，也釋放出國際巨頭深度參與中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈的強烈信號。

早在英諾賽科計劃赴港上市期間，ST 就以基石投資者身份加入了這場資本盛宴。ST 作為最大基石投資者之一，與江蘇國資背景的混改基金、高端裝備產(chǎn)業(yè)基金等共同組成了產(chǎn)業(yè)資本聯(lián)盟根據(jù) 2024 年 12 月發(fā)布的招股章程與配售結(jié)果公告，ST 認購了 12,592,100 股 H 股，約占公司已發(fā)行 H 股總數(shù)的 2.56%，并承諾在上市后六個月內(nèi)不減持，即初始禁售期至 2025 年 6 月 29 日結(jié)束。

而 2025 年 6 月 30 日，在合同即將終止前夕，英諾賽科公告稱，ST 已正式書面通知公司，將自愿將禁售期延長 12 個月，至 2026 年 6 月 29 日（含當日）。這意味著 ST 在未來一年內(nèi)，不會通過任何方式減持相關股份。

通常而言，基石投資者在禁售期結(jié)束后會選擇部分減持以鎖定收益，而 ST 此番 " 反常 " 操作，更像是一種長期價值押注，顯示其對英諾賽科技術路線與成長性的高度認可。

資本層面的綁定，其實只是 ST 與英諾賽科合作關系的 " 冰山一角 "。早在 2025 年 3 月，雙方就已簽署聯(lián)合開發(fā)和制造協(xié)議，攜手推進 GaN 功率器件的全球化量產(chǎn)。根據(jù)協(xié)議：英諾賽科可借助 ST 在中國以外的前端晶圓制造能力，生產(chǎn)其 GaN 產(chǎn)品；ST 則可使用英諾賽科在中國大陸的 8 英寸 GaN 產(chǎn)線，進行自家產(chǎn)品的本地制造。

從認購 H 股、簽署技術合作協(xié)議，到延長禁售承諾，ST 對英諾賽科的 " 真金白銀 " 背后，是其對氮化鎵技術趨勢的堅定判斷。

中國玩家迅速崛起

在這輪 GaN 洗牌中，中國企業(yè)的位置格外關鍵。尤其是英諾賽科，英諾賽科是全球首家實現(xiàn) 8 英寸硅基氮化鎵（GaN）晶圓大規(guī)模量產(chǎn)的 IDM 企業(yè)，去年年底成功登陸香港聯(lián)交所主板上市。

2024 年英諾賽科實現(xiàn)營收人民幣 8.285 億元，同比增長 39.8%。截止 2024 年，英諾賽科的晶圓產(chǎn)能達 1.3 萬片 / 月，并計劃未來提高到 2 萬片 / 月。而且英諾賽科在海外的市場競爭力也不小，2024 年來自海外的營收金額為 1.26 億元人民幣，占總收入的 15.3%，同比大增 118%。

從政策支持角度看，GaN 與 SiC 并列列入 " 第三代半導體 " 重點扶持方向，也獲得了相當規(guī)模的政府基金注入。但不同于 SiC 幾乎成為新能源車的 " 標配 "，GaN 的定位仍模糊。

內(nèi)卷困局：從 " 快充神話 " 到 " 主驅(qū)焦慮 "

從 2018 年首款 GaN 快充問世以來，GaN 迅速成為消費電子圈的寵兒。但過度依賴 " 充電器 " 這一單一場景，也讓產(chǎn)業(yè)陷入了 " 卷價格不卷價值 " 的死循環(huán)。如今，市場對 GaN 最大的期待，是它能否真正進入主驅(qū)電源——也就是從 " 邊緣 " 進入 " 核心 "，從 " 配角 " 變成 " 主角 "。

Frost & Sullivan 預測，隨著 2024 年至 2028 年期間 GaN 功率半導體市場復合年增長率高達 98.5%，到 2028 年，隨著各領域應用的多樣化，市場規(guī)模預計將超過 68 億美元。屆時，GaN 功率半導體將占據(jù)全球功率半導體行業(yè)的 10.1%。

而推動 GaN 市場發(fā)展的兩大主要力量除了消費電子，另外一個就是電動汽車。Yole 預計，GaN 在快速充電器和適配器中的應用將不斷增長，復合年增長率高達 71.1%，到 2028 年，消費電子產(chǎn)品市場規(guī)模將達到 29 億美元。電動汽車領域滲透率和單車價值的提升，將助力 GaN 市場規(guī)模到 2028 年達到 34 億美元，復合年增長率高達 216.4%。

但要邁進主驅(qū)，并不容易。首先是可靠性要求的質(zhì)變。主驅(qū)電源通常服務于汽車主逆變器、大功率工業(yè)電機、電動壓縮機等場景，對溫升、EMI、浪涌承受能力都有極高要求；GaN 雖然效率高、開關快，但在熱管理、封裝、電流能力上仍需提升。

其次，是生態(tài)成熟度。GaN 器件的 " 駕馭 " 難度遠高于硅，意味著系統(tǒng)設計廠商要投入更多的時間去適配柵極驅(qū)動、電磁兼容、散熱管理等問題。在供應鏈還不穩(wěn)定、EDA 支持不完全、測試體系不完備的當下，敢 "all in" 的企業(yè)仍是少數(shù)。

但也不是沒有希望。Navitas、英飛凌、Transphorm、英諾賽科等企業(yè)正在積極推進高功率 GaN 的商業(yè)化驗證，特斯拉、豐田、大眾等主流車企正將 GaN 用于車載充電器、牽引逆變器和電池管理系統(tǒng)。例如，2025 年 3 月 28 日，馬自達與 ROHM 聯(lián)合開發(fā)采用 GaN 的汽車零部件，兩家公司將合作打造一套涵蓋整車的方案，并在減重和設計方面進行創(chuàng)新。雙方計劃在 2025 財年推出一款演示車型，并計劃在 2027 財年實現(xiàn)實際應用。

結(jié)語

當下，GaN 表面看似 " 百花齊放 "，實則已邁入關鍵分水嶺。一場從 " 內(nèi)卷競爭 " 走向 " 結(jié)構(gòu)突破 " 的進化賽，正在悄然展開。未來兩年，不僅是 GaN 廠商們的策略考驗，也是 GaN 市場能否向主驅(qū)領域破局的關鍵窗口期。

* 免責聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導體行業(yè)觀察。