7 月 26 日消息，隨著集成電路工藝向 7nm 及以下節(jié)點不斷推進，13.5 nm 波長的 EUV 光刻成為實現(xiàn)先進芯片制造的核心技術(shù)。但 EUV 光源反射損耗大、亮度低等特點，對光刻膠在吸收效率、反應(yīng)機制和缺陷控制等方面提出了更高挑戰(zhàn)。清華大學(xué)宣布，該?；瘜W(xué)系許華平教授團隊在極紫外（EUV）光刻材料上取得重要進展 —— 開發(fā)出一種基于聚碲氧烷（Polytelluoxane, PTeO）的新型光刻膠，為先進半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵材料提供了新的設(shè)計策略。該研究提供了一種融合高吸收元素 Te、主鏈斷裂機制與材料均一性的光刻膠設(shè)計路徑，有望推動下一代 EUV 光刻材料的發(fā)展，助力先進半導(dǎo)體工藝技術(shù)革新。（it 之家）
36氪
12小時前
