文 | 孫永杰
近日一則某企業(yè)試圖逆向拆解荷蘭 ASML 的 DUV（深紫外）光刻機(jī)，結(jié)果因操作失當(dāng)導(dǎo)致設(shè)備嚴(yán)重?fù)p壞，最終不得不求助 ASML 修理的 " 黑色幽默 " 般的傳聞在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體圈中引起了強(qiáng)烈關(guān)注和討論。盡管該事件細(xì)節(jié)尚未被權(quán)威渠道證實(shí)，但結(jié)合當(dāng)下國(guó)內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)在發(fā)展中所遭遇的種種，還是引發(fā)了我們對(duì)其現(xiàn)在和未來(lái)的再思考。
從機(jī)床黑箱到 DUV 系統(tǒng)級(jí)壁壘，逆向工程思維應(yīng)休矣
提及逆向工程，它曾是發(fā)展中國(guó)家追趕工業(yè)強(qiáng)國(guó)的 " 捷徑 "。
例如 20 世紀(jì)中期，日本通過(guò)拆解福特汽車(chē)、德國(guó)通過(guò)仿制英國(guó)機(jī)床，快速實(shí)現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的躍升。但進(jìn)入 21 世紀(jì)，高端工業(yè)裝備的復(fù)雜性已超越單純 " 零件復(fù)制 " 的范疇，轉(zhuǎn)向 " 隱性知識(shí) " 與 " 系統(tǒng)協(xié)同 "。而此次傳聞中的 DUV 拆解失敗，正是這一轉(zhuǎn)向的極端例證，即針對(duì)目前高精尖工業(yè)設(shè)備已經(jīng)遠(yuǎn)非 " 拆得開(kāi)裝不上 " 的機(jī)械問(wèn)題，而是整個(gè)生態(tài)的 " 靈魂缺失 "。
事實(shí)是，回溯傳統(tǒng)工業(yè)的反例，上述趨勢(shì)早已顯出端倪。
以德國(guó)高精度機(jī)床為例，一度業(yè)內(nèi)傳聞中的 " 拆解后自動(dòng)偏離或鎖死 " 的現(xiàn)象，從純技術(shù)的角度，其并非毫無(wú)根據(jù)，而是設(shè)計(jì)層面的容差系統(tǒng)、裝配張力與動(dòng)態(tài)補(bǔ)償機(jī)制協(xié)同失效的表現(xiàn)（即便精確測(cè)量每一個(gè)零件，也無(wú)法重建其應(yīng)力平衡）。
比如德國(guó)廠商如 DMG Mori 在出口設(shè)備時(shí)，常嵌入陀螺儀、GPS 模塊和軟件授權(quán)驗(yàn)證。一旦設(shè)備被移動(dòng)或拆解超出授權(quán)，系統(tǒng)會(huì)觸發(fā)漸進(jìn)式失效，包括軸向精度偏移、軟件凍結(jié)等，導(dǎo)致性能從微米級(jí)滑落至毫米級(jí)。在 2022 年俄烏沖突后，部分俄羅斯進(jìn)口設(shè)備曾被曝出現(xiàn)遠(yuǎn)程停用現(xiàn)象，盡管廠商并未公開(kāi)承認(rèn)鎖死行為，但這一事件說(shuō)明了現(xiàn)代機(jī)床的系統(tǒng)化安全設(shè)計(jì)已成行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
具體到中國(guó)，也曾有企業(yè)曾進(jìn)口類似設(shè)備，并通過(guò)自研開(kāi)源 CNC 系統(tǒng)（如華中數(shù)控）繞過(guò)鎖定，但這僅適用于軟件層，硬件的核心機(jī)械結(jié)構(gòu)（如導(dǎo)軌、絲杠）仍需原廠精度，替換后性能可能下降 5-10%，而更深層的壁壘還有材料科學(xué)的 " 隱性配比 "。例如德國(guó)精密絲杠中摻入微量的稀有元素（如鉭或錸），通過(guò)固溶強(qiáng)化將耐磨度提升數(shù)倍，而這種微量添加依賴無(wú)數(shù)次實(shí)驗(yàn)迭代，雖然逆向分析（如 X 射線熒光）能檢測(cè)成分，卻難還原其在晶體結(jié)構(gòu)中的動(dòng)態(tài)影響。對(duì)此，Bosch Rexroth 的專利顯示，這種知識(shí)是商業(yè)機(jī)密，即便是仿制，也需數(shù)年磨損測(cè)試。
類似地，日本 FANUC 導(dǎo)軌的淬火工藝（多次深度冷卻與高溫回火交替），以確保硬度 HRC 58-62 與韌性平衡，而據(jù)稱國(guó)內(nèi)企業(yè)簡(jiǎn)化步驟后，成品壽命僅為原版的 30-50%，易生裂紋。需要說(shuō)明的是，這已不是簡(jiǎn)單的 " 偷工減料 "，而是忽略了溫控曲線的經(jīng)驗(yàn)積累，即每一步參數(shù)偏差，都會(huì)放大應(yīng)力，并最終導(dǎo)致系統(tǒng)級(jí)失效。
從上述這些機(jī)床的案例我們不難發(fā)現(xiàn)，局部可逆，全局難復(fù)：零件可測(cè)，工藝隱性；系統(tǒng)協(xié)同更難重構(gòu)，而在光刻機(jī)上，這種系統(tǒng)協(xié)同壁壘被放大到了極致。
據(jù) ASML 官方與多份行業(yè)報(bào)告統(tǒng)計(jì)，其最新一代 EUV 系統(tǒng)包含 10 萬(wàn)個(gè)零部件、涉及約 5000 多家供應(yīng)商，相較之下，浸沒(méi)式 DUV（ArFi）雖然復(fù)雜度略低，但零部件數(shù)量同樣達(dá)數(shù)萬(wàn)級(jí)，系統(tǒng)集成難度相近。
其中核心光學(xué)模塊由蔡司（Zeiss）獨(dú)家提供，鏡片加工精度達(dá)到亞納米級(jí)，任何一次鍍膜厚度波動(dòng)都可能導(dǎo)致系統(tǒng)退化，至于它的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、雙工作臺(tái)、控制算法與曝光同步機(jī)制之間的微秒級(jí)閉環(huán)控制，更是靠上百項(xiàng)嵌入式專利實(shí)現(xiàn)。這意味著，即使完全拆解出 DUV 的所有零件，仍不可能重建那種 " 系統(tǒng)級(jí)協(xié)同 "。正如華金證券《光刻機(jī)深度報(bào)告》中所言：高端光學(xué)元件的超精密制造與裝調(diào)技術(shù)，是當(dāng)前高端裝備制造業(yè)最大短板。
由此可見(jiàn)，ASML 的 DUV 系統(tǒng)并非單純硬件堆疊，而是光學(xué)、控制、材料、算法、軟件的融合，就連曝光臺(tái)上的 " 振動(dòng)補(bǔ)償 " 都需依賴納米級(jí)氣浮系統(tǒng)、雙重反饋與 AI 建模修正。所以所謂的對(duì)于 DUV 的逆向拆解，不是拆得開(kāi)，而是拆不出 " 靈魂 "。
明知不可而為之背后，體系性鎖死的無(wú)奈與冒險(xiǎn)
如上述，作為業(yè)內(nèi)的廠商，理應(yīng)明知不可為，那為何還要去嘗試？這背后到底發(fā)生了什么？
眾所周知，自 2018 年中美貿(mào)易戰(zhàn)開(kāi)始，美國(guó)主導(dǎo)的出口管制逐步升級(jí)。2023 年后，美日荷 " 三邊協(xié)議 " 將 EUV 全面禁售，而在今年，ASML 更是明確停止對(duì)中國(guó)最先進(jìn) DUV（NXT:2000i 以上型號(hào)）的出口，甚至存量設(shè)備的維修、零部件更換和技術(shù)服務(wù)也受限。而事實(shí)卻是，中國(guó)依然是 ASML 的最大客戶（去年?duì)I收最高占比高達(dá) 41%），這種高度依賴性始終是中國(guó)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的軟肋。
這里先不說(shuō)國(guó)內(nèi)的中芯國(guó)際、華虹、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等晶圓廠逾百臺(tái) DUV 機(jī)型，一旦斷供，生產(chǎn)線可能出現(xiàn)停滯，據(jù) TrendForce 報(bào)告顯示，今年第三季度，中芯國(guó)際的 7nm 良率降至 60% 以下，部分原因竟是設(shè)備老化與維護(hù)滯后，也就是說(shuō) ASML 對(duì)于中國(guó)光刻機(jī)的維修、零部件更換和技術(shù)服務(wù)限制的負(fù)面影響也已開(kāi)始顯現(xiàn)。
另?yè)?jù)慧博智能投研《光刻機(jī)行業(yè)深度：核心技術(shù)、競(jìng)爭(zhēng)格局、國(guó)產(chǎn)替代及相關(guān)公司深度梳理》報(bào)告顯示，中國(guó)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈仍處于光機(jī)臺(tái)有進(jìn)展、光源和光學(xué)核心滯后的階段。例如上海微電子雖然具備 90nm 級(jí) KrF 光刻機(jī)生產(chǎn)能力，且正在攻關(guān) 28nm 級(jí) ArF 機(jī)型，但光源仍依賴 Cymer、Gigaphoton，物鏡加工精度則受制于蔡司，且與國(guó)際主流的 7 納米 /5 納米制程存在巨大代差。更令業(yè)內(nèi)擔(dān)憂的是，即便是現(xiàn)有的國(guó)產(chǎn)設(shè)備，也常因停機(jī)率高、良率不穩(wěn)而難以被大規(guī)模采用。
綜上我們不難看到，中國(guó)光刻機(jī)面臨的是體系性封死的窘境，并通過(guò)整機(jī)、零配件、服務(wù)，包括我們現(xiàn)在自主研發(fā)部分核心部件的依賴得以體現(xiàn)，加之 " 自主可控 " 國(guó)家最高戰(zhàn)略的背景下，光刻機(jī)作為 " 卡脖子 " 環(huán)節(jié)的核心，業(yè)內(nèi)承受的突破壓力可見(jiàn)一斑。而這種種壓力使得一些決策者和執(zhí)行者出現(xiàn)短期內(nèi)急于求成的心理也自在情理之中。
基于此，不管 DUV 光刻機(jī)逆向拆解的傳聞是否為真，其背后反映的中國(guó)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)外部極端限制與內(nèi)部高度渴望相互作用產(chǎn)生的無(wú)奈與冒險(xiǎn)應(yīng)是我們正視的事實(shí)。而在此事實(shí)之上，無(wú)論是國(guó)內(nèi)的晶圓廠還是設(shè)備商，都希望通過(guò)任何手段取得突破。
基礎(chǔ)創(chuàng)新到生態(tài)協(xié)同是正解，切忌 " 樣機(jī)思維 " 類突破
如前述，曾經(jīng)屢試不爽的逆向工程顯然已經(jīng)不適用于當(dāng)下高精尖工業(yè)設(shè)備，尤其是光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)，突破更無(wú)捷徑，唯有回歸基礎(chǔ)科學(xué)，構(gòu)建完整生態(tài)，方是正道。而這需要我們首先必須正視與國(guó)際頂尖水平的代差。
例如目前國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的上海微電子已具備 90 納米量產(chǎn)能力，并正向 28 納米進(jìn)軍，這是巨大的進(jìn)步，但同時(shí)國(guó)際主流已在 7 納米和 5 納米節(jié)點(diǎn)進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。針對(duì)于此，在技術(shù)路徑上，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程應(yīng)腳踏實(shí)地，從成熟制程（90nm/65nm）的穩(wěn)定性和國(guó)產(chǎn)替代做起，穩(wěn)步推進(jìn)，爭(zhēng)取在浸潤(rùn)式 DUV 的某些關(guān)鍵模塊實(shí)現(xiàn)突破。
其次是必須集中資源攻克國(guó)際壟斷的核心環(huán)節(jié)，例如光刻機(jī)的光源和光學(xué)系統(tǒng)。
事實(shí)是，無(wú)論 DUV 還是 EUV 的光源，目前尚被 Cymer、Gigphoton 壟斷。為此，我們需要加大對(duì)激光物理、高功率光源、以及 EUV 光源中 LLP 光源（激光輔助等離子體）等基礎(chǔ)科學(xué)的投入，建立從原理到工程化的完整技術(shù)鏈。至于光學(xué)系統(tǒng)，則必須在超精密光學(xué)鏡頭的材料、研磨、拋光和鍍膜等工藝上實(shí)現(xiàn)突破。
最后則是必須回到基礎(chǔ)科學(xué)與生態(tài)協(xié)同創(chuàng)新。從物理層面看，光刻機(jī)的分辨率由光源波長(zhǎng)（λ）、數(shù)值孔徑（NA）和工藝系數(shù)（k1）共同決定，而要實(shí)現(xiàn) EUV 級(jí)別的分辨率，不僅要擁有 13.5nm 波長(zhǎng)光源，還要在鏡片、控制、掩模、光刻膠等多個(gè)環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)協(xié)同創(chuàng)新才行。
這里我們以長(zhǎng)期被日本廠商（如 JSR、信越化學(xué)）壟斷的光刻膠為例，其配方、性能直接影響良率，這就需要我們不僅要實(shí)現(xiàn) ArF DUV 光刻膠、甚至 EUV 光刻膠的國(guó)產(chǎn)化，還需與國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)、刻蝕機(jī)進(jìn)行全流程匹配與驗(yàn)證。
以上述作為標(biāo)準(zhǔn)，中國(guó)目前的進(jìn)展雖然緩慢，但已顯露出結(jié)構(gòu)化突破的路徑。
例如在核心的光源方面，科益虹源、中科院光電所成功研制 248nm 和 193nm 準(zhǔn)分子激光器，打破了國(guó)外壟斷，為 DUV 國(guó)產(chǎn)化奠定了基礎(chǔ)；至于光學(xué)系統(tǒng)，國(guó)望光學(xué)、國(guó)科精密正在研發(fā) NA=0.82~1.35 級(jí)投影物鏡。
而在光刻膠與掩膜版方面，南大光電、路維光電、晶瑞電材等實(shí)現(xiàn)了 ArF 正性光刻膠的突破，開(kāi)始進(jìn)入晶圓制造驗(yàn)證環(huán)節(jié)。
在我們看來(lái)，這些成果雖尚未形成完整產(chǎn)業(yè)鏈，卻標(biāo)志著中國(guó)光刻機(jī)生態(tài)創(chuàng)新的雛形已現(xiàn)。
到這里，也許有業(yè)內(nèi)稱，目前國(guó)內(nèi)的光刻機(jī)不是時(shí)不時(shí)就曝出 " 突破 " 的好消息嗎？怎么還是雛形呢？這就引出了當(dāng)下我們?cè)诎l(fā)展光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)時(shí)必須警惕的 " 樣機(jī)思維 " 的蔓延。
說(shuō)到 " 樣機(jī)思維 "（Prototype Thinking），它是一個(gè)工程學(xué)和管理學(xué)概念，常用于描述技術(shù)研發(fā)或產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中的一種常見(jiàn)偏差，表現(xiàn)為過(guò)度聚焦于制造出 " 能動(dòng) " 的原型機(jī)（prototype，即初步功能樣機(jī)），而忽略后續(xù)的量產(chǎn)化、穩(wěn)定性、成本控制和生態(tài)集成。這種思維模式在創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的領(lǐng)域（如半導(dǎo)體、機(jī)械工程、軟件開(kāi)發(fā)）中尤為突出，往往導(dǎo)致 " 實(shí)驗(yàn)室成功、市場(chǎng)失敗 " 的尷尬局面。
當(dāng)我們明白了 " 樣機(jī)思維 "，那么所謂的隔三岔五曝出的 " 突破 "，含金量幾何想必業(yè)內(nèi)都心中有數(shù)。還是之前所述，惟有國(guó)內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，齊頭并進(jìn)，才能最大限度地避免 " 樣機(jī)思維 " 陷阱的自嗨式宣傳，做到物盡其用，真正提升中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的制造水平。
寫(xiě)在最后：
綜上，我們認(rèn)為，逆向拆解 DUV 光刻機(jī)的傳聞，不論真假，都在提醒我們，在信息透明、技術(shù)高度集成的今天，試圖通過(guò)逆向工程在最尖端領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，無(wú)異于緣木求魚(yú)。而惟有像 ASML 從一個(gè) " 漏水棚子 " 起步那樣，經(jīng)歷長(zhǎng)期的沉淀與協(xié)作，打造出真正擁有底層創(chuàng)新能力和完整生態(tài)鏈的光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)體系，甚至從中建立我們自己的第二條技術(shù)路徑，例如納米壓?。∟IL）或電子束刻蝕等非光刻技術(shù)，才能最終實(shí)現(xiàn)真正的 " 自主可控 "。
