自 4 月以來(lái)，美股市場(chǎng)再度迎來(lái)了一波科技行情，英偉達(dá)（NVDA.US）、微軟（MSFT.US）、博通（AVGO.US）等多股再度迎來(lái)飆升。

其中，存儲(chǔ)芯片大廠美光科技（MU.US）在這波行情中已經(jīng)累漲超過(guò) 40%。

而根據(jù)最新公告，在大漲之際，美光科技又發(fā)布了利好消息。

8 月 11 日（美東時(shí)間），美光科技發(fā)布公告稱，將更新 2025 財(cái)年第四財(cái)季（截至 2025 年 8 月 28 日）的收入、毛利率、運(yùn)營(yíng)支出和每股收益指引。

具體而言，美光科技最新預(yù)計(jì) 2025 財(cái)年第四財(cái)季的收入為 112 億美元，上下浮動(dòng) 1 億美元，此前的預(yù)測(cè)則是 107 億美元，上下浮動(dòng) 3 億美元；非 GAAP 下，預(yù)期調(diào)整后毛利率為 44.5%，上下浮動(dòng) 0.5%，此前的預(yù)期為 42%，上下浮動(dòng) 1%；非 GAAP 下，預(yù)期調(diào)整后的第四財(cái)季每股收益為 2.85 美元，上下浮動(dòng) 0.07 美元，而此前的預(yù)期為 2.50 美元，上下浮動(dòng) 0.15 美元。

8 月 11 日（美東時(shí)間），美光科技的股價(jià)跳空上漲逾 4%。

據(jù)了解，美光科技管理層之所以上調(diào)第四財(cái)季的業(yè)績(jī)主要得益于 DRAM 定價(jià)環(huán)境的改善和強(qiáng)勁執(zhí)行力。

眾所周知，近些年，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)一度遭遇 " 寒冬 "，需求疲軟導(dǎo)致 DRAM 等存儲(chǔ)芯片價(jià)格大跌，反而是用于 AI 領(lǐng)域的 HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）" 一枝獨(dú)秀 "，支撐起了 " 大局 "。

不過(guò)，HBM 細(xì)分市場(chǎng)主要被 SK 海力士、三星電子、美光科技所主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商現(xiàn)階段仍聚焦于 DRAM/LPDDR5 等產(chǎn)品，HBM 領(lǐng)域尚處于技術(shù)驗(yàn)證和小規(guī)模試產(chǎn)階段。

需要指出的是，美光科技透露出 DRAM 定價(jià)環(huán)境改善，這通常意味著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需平衡趨于健康，其實(shí)對(duì)整個(gè)行業(yè)來(lái)說(shuō)都是重大利好消息。

不過(guò)，8 月 12 日，A 股市場(chǎng)的存儲(chǔ)芯片板塊表現(xiàn)一般，相關(guān)概念股的后期走勢(shì)值得關(guān)注。