點擊收聽美光科技 2025Q3 業(yè)績電話會議回放 $ 美光科技 ( MU ) $

桑杰 · 梅赫羅特拉

大家下午好。美光公司強大的競爭地位和穩(wěn)健的執(zhí)行力在第三財季實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的營收，營收、毛利率和每股收益均超過了我們預(yù)期的上限。

數(shù)據(jù)中心收入同比增長逾一倍，創(chuàng)下歷史新高，面向消費者的市場也實現(xiàn)了強勁的環(huán)比增長。我們在本季度實現(xiàn)了可觀的自由現(xiàn)金流，同時我們繼續(xù)進行對維持長期增長至關(guān)重要的戰(zhàn)略投資。我感謝所有美光團隊成員的專注和執(zhí)行力，正是他們的付出才成就了這些業(yè)績。

在第三財季，DRAM 收入創(chuàng)下新高，這得益于 HBM 收入環(huán)比增長近 50%。我們?nèi)匀皇菙?shù)據(jù)中心 LPDRAM 量產(chǎn)的唯一供應(yīng)商。在 NAND 領(lǐng)域，我們在第一季度創(chuàng)下了數(shù)據(jù)中心 SSD 和客戶端 SSD 市場份額的新季度紀錄。根據(jù)第三方數(shù)據(jù)，美光科技在第一季度首次成為數(shù)據(jù)中心 SSD 市場份額排名第二的品牌。展望第四財季，我們看到了強勁的需求環(huán)境，預(yù)計收入將環(huán)比增長 15%，達到創(chuàng)紀錄的 107 億美元（指引中值）。

今年 6 月，我們圍繞關(guān)鍵細分市場完成了業(yè)務(wù)部門的戰(zhàn)略重組，以把握未來巨大的人工智能增長機遇。隨著高性能內(nèi)存和存儲對于推動人工智能驅(qū)動的創(chuàng)新日益重要，這一新架構(gòu)將增強美光與客戶更深入互動的能力，將更多資源轉(zhuǎn)移到我們產(chǎn)品組合中以人工智能為中心的機會上。我們在 1-gamma DRAM 技術(shù)節(jié)點上取得了顯著進展，良率增速超過了我們在 1-beta 節(jié)點上創(chuàng)下的紀錄。

我們在本季度完成了多項關(guān)鍵產(chǎn)品里程碑，包括首批基于 1-gamma 工藝的 LP5 DRAM 的合格樣品出貨。美光 1-gamma DRAM 采用 EUV 技術(shù)，與 1-beta DRAM 相比，該節(jié)點的位密度提升了 30%，功耗降低了 20% 以上，性能提升高達 15%。我們將在整個 DRAM 產(chǎn)品組合中采用 1-gamma 工藝，以受益于這項領(lǐng)先技術(shù)。在 NAND 領(lǐng)域，我們在本季度實現(xiàn)了 QLC 位組合的最高紀錄。我們

開始對基于我們的 G9 2 太比特 QLC NAND 的新型高性能 SSD 產(chǎn)品進行資格認證，并且我們將繼續(xù)以與需求一致的速度提升我們的 G9 節(jié)點。

我們正在對我們的全球運營網(wǎng)絡(luò)進行有紀律的投資，以便隨著時間的推移根據(jù)需求增加供應(yīng)。兩周前，在特朗普政府的支持下，美光公司宣布計劃在未來 20 多年在美國投資約 2000 億美元，其中包括 1500 億美元用于制造，500 億美元用于研發(fā)。作為這項 2000 億美元投資計劃的一部分，美光公司計劃在之前宣布的計劃之外額外投資 300 億美元，其中包括在愛達荷州博伊西市建造第二座尖端內(nèi)存工廠；擴建和現(xiàn)代化我們位于弗吉尼亞州馬納薩斯的現(xiàn)有工廠，服務(wù)于汽車、航空航天、國防和工業(yè)市場；并在美國運營部門建立足夠的 DRAM 晶圓規(guī)模后，將先進的封裝能力帶到美國以支持我們的長期 HBM 增長計劃。

我們很高興，在此次公告中，我們的客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴對我們的技術(shù)、產(chǎn)品和投資計劃給予了高度認可。我們在愛達荷州的首家晶圓廠 ID1 已于今年 6 月實現(xiàn)了又一個重要的建設(shè)里程碑。我們預(yù)計 ID1 將于 2027 年下半年開始產(chǎn)出首批 DRAM 晶圓，隨后將獲得客戶資質(zhì)。愛達荷州的第二家晶圓廠 ID2 將受益于 ID1 的規(guī)?；a(chǎn)經(jīng)濟效益，并結(jié)合研發(fā)中心的共址優(yōu)勢，從而提高效率并縮短產(chǎn)品上市時間。為了滿足預(yù)期需求，ID2 將先于紐約第一家晶圓廠投產(chǎn)。我們預(yù)計將于今年晚些時候在紐約州完成州和聯(lián)邦政府的環(huán)境評估后，開始在紐約州進行土地準備工作。

談到我們的終端市場。在數(shù)據(jù)中心方面，我們預(yù)計 2025 財年服務(wù)器市場出貨量將實現(xiàn)中等個位數(shù)百分比增長，這主要得益于人工智能服務(wù)器的顯著增長。在第三財季，數(shù)據(jù)中心 DRAM 收入連續(xù)第四個季度創(chuàng)下新高，這得益于 HBM 的強勁增長和份額增長，以及我們行業(yè)領(lǐng)先的高容量 DIMM 和低功耗服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品組合的強勁表現(xiàn)。

我們的 HBM 產(chǎn)能提升和產(chǎn)品開發(fā)路線圖正在順利推進。HBM3E 12 英寸的良率和產(chǎn)量提升進展順利，預(yù)計第四季度出貨量將實現(xiàn)交叉。我們預(yù)計在 2025 年下半年，HBM 的市場份額將達到與整體 DRAM 市場份額相當(dāng)?shù)乃健?/p>

在本月早些時候 AMD 舉辦的 Advancing AI 活動上，我們宣布美光科技的 36GB 12 位高 HBM3E 存儲器已被 AMD 的 Instinct MI355X GPU 平臺采用。目前，我們正在向四家客戶批量出貨 HBM，涵蓋 GPU 和 ASIC 平臺。

隨著生成式 AI 工作負載的規(guī)模和復(fù)雜性不斷增長，對 HBM 的性能需求也不斷提升。美光 HBM4 采用我們成熟的 1-beta DRAM 技術(shù)，并結(jié)合內(nèi)部開發(fā)和制造的先進 CMOS 邏輯基片，可提供每內(nèi)存堆棧每秒超過 2 TB 的帶寬，性能比上一代產(chǎn)品提升 60% 以上。

此外，美光 HBM4 的功耗較我們 HBM3E 12 位高產(chǎn)品上業(yè)已領(lǐng)先的功耗性能降低了 20%，為同類產(chǎn)品樹立了新的能效標桿。HBM4 的擴展接口有助于實現(xiàn)快速通信和高吞吐量設(shè)計，從而加速大型語言模型和思維鏈推理系統(tǒng)的推理性能。美光已向多家客戶交付 HBM4 樣品，預(yù)計將于 2026 年實現(xiàn)量產(chǎn)，與客戶的計劃保持一致。

我們?yōu)?HBM4 的量產(chǎn)做好了充分準備?；?HBM3E 量產(chǎn)的成功，我們擁有高質(zhì)量、經(jīng)過現(xiàn)場驗證的技術(shù)，并實現(xiàn)了 HBM 產(chǎn)能的強勁且顯著提升。我們與幾乎所有 HBM 主要客戶都建立了深厚的合作關(guān)系，并以卓越的執(zhí)行力贏得了他們的信任，交付了全球功耗最低、性能最高的 HBM。

我們的高容量 DIMM 和低功耗服務(wù)器 DRAM 解決方案產(chǎn)品組合在本季度再創(chuàng)營收紀錄。美光科技率先在服務(wù)器領(lǐng)域采用 LPDRAM，并將繼續(xù)保持服務(wù)器 LP DRAM 的唯一供應(yīng)商地位。我們的高容量 DIMM 和 LP 服務(wù)器產(chǎn)品在 2025 財年已創(chuàng)造了數(shù)十億美元的營收，與去年同期相比實現(xiàn)了五倍的顯著增長。

在第一季度，美光科技連續(xù)第三個季度創(chuàng)下數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤 ( SSD ) 市場份額新高，這得益于我們通過垂直整合實現(xiàn)的差異化產(chǎn)品組合。在第三財季，我們的數(shù)據(jù)中心 9550 高性能固態(tài)硬盤 ( SSD ) 已入選 NVIDIA GB200 NVL72 推薦供應(yīng)商名單，并已完成多家原始設(shè)備制造商 ( OEM ) 的客戶認證。美光科技 9550 固態(tài)硬盤為人工智能 ( AI ) 服務(wù)器系統(tǒng)提供業(yè)界領(lǐng)先的性能和節(jié)能的第五代數(shù)據(jù)中心存儲解決方案。我們將繼續(xù)提升 6550 ION 60TB 容量固態(tài)硬盤的客戶認證，并持續(xù)提升其收入。

再來看看 PC 市場。我們預(yù)計到 2025 年，PC 市場出貨量將以低個位數(shù)百分比增長。未來幾個季度，推動增長的關(guān)鍵因素包括人工智能 PC 的普及率不斷提高以及 Windows 11 的升級周期。

美光科技致力于為 PC 市場帶來差異化的高性能產(chǎn)品。我們強大的 SSD 產(chǎn)品組合助力美光科技在第一季度創(chuàng)下客戶端 SSD 市場份額新高。明天，我們將發(fā)布全新 G9 QLC 2TB SSD，該 SSD 采用我們專有的自適應(yīng)寫入技術(shù)，可將寫入性能提升 4 倍。這項技術(shù)在大多數(shù)消費用例中提供與 TLC NAND 相當(dāng)?shù)男阅埽瑥亩卣沽?QLC SSD 的潛在市場。

談到移動領(lǐng)域。我們預(yù)計到 2025 年，智能手機出貨量將實現(xiàn)低個位數(shù)增長。人工智能的普及仍然是智能手機 DRAM 容量增長的關(guān)鍵驅(qū)動力，我們預(yù)計未來將有更多智能手機的容量達到或超過 12GB，而目前普通智能手機的容量僅為 8GB。美光專注于為高端智能手機市場提供解決方案，并利用我們領(lǐng)先的 1-beta 和 1-gamma 技術(shù)節(jié)點（用于 LP5X DRAM）以及 8G 和 9G 技術(shù)節(jié)點（用于 UFS 4 NAND 產(chǎn)品）。

本季度，我們開始出貨業(yè)界首款基于 1 伽馬節(jié)點構(gòu)建的 LP5X 內(nèi)存的合格樣品，該內(nèi)存為 2026 年的旗艦智能手機提供廣泛的容量和業(yè)界領(lǐng)先的速度等級。美光的 1 伽馬 LP5X DRAM 旨在加速高端設(shè)備中的 AI 應(yīng)用，在多個用例中提供超過 25% 的更快推薦速度，同時降低 20% 的功耗，所有這些都集成在超薄外形中，非常適合移動設(shè)備。在 NAND 領(lǐng)域，我們贏得了關(guān)鍵客戶的設(shè)計訂單，并加快了基于 G9 的 UFS 4 產(chǎn)品的量產(chǎn)。本季度，我們移動產(chǎn)品組合的實力得到了 7 家智能手機 OEM 廠商頒發(fā)的最高質(zhì)量獎項的進一步認可。

轉(zhuǎn)向汽車、工業(yè)和消費嵌入式市場。我們預(yù)計，L2 和 L3 ADAS 功能以及支持 AI 的車載信息娛樂系統(tǒng)的采用將日益增長，這將推動內(nèi)存和存儲內(nèi)容的增長以及更高的帶寬需求。美光科技憑借其新產(chǎn)品的推出，例如業(yè)界首款支持 9.6 Gb/s 高速傳輸?shù)?1-beta 雙通道 LP5 DRAM，已于本季度達到量產(chǎn)狀態(tài)，從而為在汽車市場取得長期成功奠定了基礎(chǔ)。在工業(yè)領(lǐng)域，隨著客戶加大對 AI 應(yīng)用的投資，包括在工廠自動化等關(guān)鍵領(lǐng)域，我們看到了增長的恢復(fù)。在 D4 和 LP4 供應(yīng)受限以及分銷渠道庫存較低的市場背景下，美光科技正在推動價格改善。

現(xiàn)在談?wù)勎覀兊氖袌稣雇?。終端市場的客戶庫存水平總體健康，部分客戶可能因關(guān)稅相關(guān)因素而采取了一些措施。我們的客戶繼續(xù)暗示今年剩余時間的需求環(huán)境良好，我們將繼續(xù)保持靈活應(yīng)對宏觀環(huán)境或不斷變化的關(guān)稅相關(guān)形勢可能帶來的任何不可預(yù)見的需求變化。

我們預(yù)計 2025 年行業(yè) DRAM 位元需求增長率將達到 15% 左右，而行業(yè) NAND 位元需求增長率將達到兩位數(shù)左右。我們預(yù)計美光的非 HBM DRAM 和 NAND 位元供應(yīng)增長率將低于行業(yè)需求增長率。中期來看，我們預(yù)計 DRAM 和 NAND 的行業(yè)位元需求增長率均為 15% 左右。

正如之前所述，我們高效的節(jié)點轉(zhuǎn)換將導(dǎo)致 2025 財年末的 NAND 晶圓產(chǎn)能較 2024 財年末的水平結(jié)構(gòu)性下降 10%。此外，鑒于 NAND 技術(shù)轉(zhuǎn)型將顯著提高整體位輸出，美光計劃以符合我們需求的節(jié)奏有序管理節(jié)點轉(zhuǎn)換。

最近的新聞報道討論了 D4 和 LP4 產(chǎn)品的停產(chǎn)。美光科技的尖端 DRAM 節(jié)點（例如 1-beta 和 1-gamma）專注于最新一代產(chǎn)品，例如 D5、LP5 和 HBM，并未用于生產(chǎn) D4 和 LP4。D4 和 LP4 產(chǎn)品主要采用我們的 1-alpha DRAM 節(jié)點生產(chǎn)。美光科技幾個月前已向移動、客戶端、數(shù)據(jù)中心和消費等高容量細分市場的客戶發(fā)送了這些產(chǎn)品的停產(chǎn)通知，最終發(fā)貨時間將在 2 到 3 個季度后。

此次停產(chǎn)流程與以往內(nèi)存產(chǎn)品從一代過渡到另一代的流程類似，并且與以往一樣，美光科技計劃在未來幾年內(nèi)繼續(xù)供應(yīng)這些 1-alpha DRAM 產(chǎn)品，以支持其在汽車、工業(yè)、國防和網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域長期且需求相對較低的長期合作伙伴客戶。短期內(nèi)，高容量細分市場的客戶將開始面臨 D4 產(chǎn)品日益短缺的局面。我們目前正在為這些產(chǎn)品分配庫存，并正在與客戶合作，努力滿足他們近期的高優(yōu)先級需求。在 2025 財年下半年，D4 產(chǎn)品的收入占我們總收入的比例僅為個位數(shù)。我們預(yù)計，LP4 產(chǎn)品的短缺情況也可能因停產(chǎn)而加劇。

最后，美光創(chuàng)紀錄的第三季度營收表現(xiàn)和強勁的第四季度前景，都源于我們戰(zhàn)略重點和持續(xù)執(zhí)行的成果。隨著人工智能推動對高性能內(nèi)存和存儲前所未有的需求，美光已做好準備，抓住這一變革時代的機遇。我們在技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，尤其體現(xiàn)在 HBM、1-gamma DRAM 和 G9 方面的進步。

NAND 以及嚴謹?shù)娜蛑圃鞓I(yè)投資，支撐著我們持續(xù)增長。我們相信，我們的戰(zhàn)略方向、創(chuàng)新能力以及卓越團隊的執(zhí)行力，將繼續(xù)為股東、客戶和員工創(chuàng)造富有意義的價值。我們有望在 2025 財年實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的營收、穩(wěn)健的盈利能力和自由現(xiàn)金流，同時我們將加大投資，鞏固我們的領(lǐng)導(dǎo)地位，以滿足日益增長的人工智能驅(qū)動的內(nèi)存需求。

現(xiàn)在我將把我們的財務(wù)業(yè)績和展望交給馬克。

馬克 · J · 墨菲

謝謝，桑杰，大家下午好。美光公司第三財季業(yè)績強勁，營收、毛利率和每股收益均高于我們上次財報電話會議中給出的預(yù)期上限。

第三財季總收入為 93 億美元，比上一季度增長 15%，比去年同期增長 37%，創(chuàng)下美光公司季度收入新高。環(huán)比收入增長得益于我們終端市場的增長，包括創(chuàng)紀錄的數(shù)據(jù)中心收入和面向消費者的市場環(huán)比強勁增長。第三財季 DRAM 收入為 71 億美元，比去年同期增長 51%，占總收入的 76%。環(huán)比增長 15%，位出貨量增長超過 20%，價格下降幅度在低個位數(shù)百分比范圍內(nèi)，這主要由于面向消費者的收入結(jié)構(gòu)增加。第三財季 NAND 收入為 22 億美元，比去年同期增長 4%，占美光公司總收入的 23%。環(huán)比增長 16%，位出貨量增長在 25% 左右，價格下降幅度在高個位數(shù)百分比范圍內(nèi)。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)向按業(yè)務(wù)部門劃分的收入。計算和網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門收入為 51 億美元，環(huán)比增長 11%，創(chuàng)下季度新高。這一業(yè)績得益于 HBM 環(huán)比增長近 50%，以及高容量 DRAM 和低功耗服務(wù)器 DRAM 的增長。存儲業(yè)務(wù)部門收入為 15 億美元，環(huán)比增長 4%。這一增長主要得益于面向消費者的收入增長。移動業(yè)務(wù)部門收入為 16 億美元，環(huán)比增長 45%。環(huán)比收入增長是由于客戶庫存減少以及 DRAM 內(nèi)容增長帶來的強勁需求。嵌入式業(yè)務(wù)部門收入為 12 億美元，環(huán)比增長 20%，這得益于工業(yè)和消費嵌入式市場的增長。

第三財季綜合毛利率為 39%，環(huán)比增長 110 個基點，較我們預(yù)期中值增長 250 個基點。毛利率高于我們預(yù)期區(qū)間的上限，主要得益于 DRAM 和 NAND 價格的上漲，但部分抵消了消費者導(dǎo)向產(chǎn)品組合的提升。

第三財季運營費用為 11 億美元，環(huán)比增加 8700 萬美元，符合我們的預(yù)期范圍。增長主要源于研發(fā)投入和勞動力相關(guān)成本的增加。第三財季我們實現(xiàn)了 25 億美元的運營利潤，運營利潤率為 26.8%，環(huán)比增長約 190 個基點，同比增長 13 個百分點。

第三財季稅費為 3.06 億美元，實際稅率為 12.3%，低于我們的預(yù)期，原因是本季度一次性單項項目的影響。第三財季非公認會計準則攤薄每股收益為 1.91 美元，高于預(yù)期區(qū)間上限，環(huán)比增長 22%，同比增長超過 200%。

談到現(xiàn)金流和資本支出。在第三財季，我們的運營現(xiàn)金流超過 46 億美元，資本支出為 27 億美元。本季度自由現(xiàn)金流超過 19 億美元，創(chuàng)下六年來的最高季度水平。第三財季期末庫存為 87 億美元，庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)為 139 天。受 DRAM 和 NAND 出貨量環(huán)比強勁增長的推動，庫存環(huán)比下降 2.8 億美元，庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)環(huán)比下降 19 天。

資產(chǎn)負債表顯示，截至本季度末，我們持有創(chuàng)紀錄的 122 億美元現(xiàn)金和投資，并將尚未動用的信貸額度計入，流動性維持在 157 億美元。在第三財季，我們?yōu)?9 億美元的 2027 年到期票據(jù)進行了再融資，發(fā)行了 17 億美元的新票據(jù)，這些票據(jù)將于 2033 財年和 2036 財年到期。本季度末，我們的債務(wù)總額為 155 億美元，保持了較低的凈杠桿率，加權(quán)平均債務(wù)到期日為 2032 年。

現(xiàn)在談?wù)勎覀儗Φ谒呢敿镜恼雇?。我們預(yù)計收入增長將主要來自 DRAM，這得益于強勁的定價執(zhí)行、良好的產(chǎn)品組合以及持續(xù)的成本優(yōu)化，所有這些都將有利于毛利率的提升。第四財季的運營支出預(yù)計約為 12 億美元，環(huán)比增長主要得益于未來技術(shù)節(jié)點和 HBM 產(chǎn)品開發(fā)的研發(fā)投入。

我們的 2025 財年資本支出計劃保持不變，約為 140 億美元。2025 財年資本支出的絕大部分將用于支持 HBM 以及設(shè)施、建設(shè)、后端制造和研發(fā)投資。我們預(yù)計第四季度的稅收

稅率約為 13%。如前所述，由于新加坡采用全球最低稅率，我們預(yù)計 2026 財年的稅率將處于 15% 左右。任何因潛在新關(guān)稅而產(chǎn)生的影響均未納入我們的預(yù)期。

綜合考慮所有這些因素，我們對第四財季的非公認會計準則 ( Non-GAAP ) 業(yè)績指引如下：我們預(yù)計營收為 107 億美元，上下浮動 3 億美元；毛利率在 42% 左右，上下浮動 100 個基點；運營支出約為 12 億美元，上下浮動 2000 萬美元。我們預(yù)計第四財季稅率約為 13%。基于約 11.5 億股的股票數(shù)量，我們預(yù)計每股收益為 2.50 美元，上下浮動 0.15 美元。

由于預(yù)計第四財季出貨量將再次增長，我們預(yù)計 2025 財年結(jié)束時 DRAM 庫存將保持緊張，NAND 庫存將大幅減少，公司整體 DIO 將接近我們的目標水平。在庫存較低且需求環(huán)境良好的情況下，我們將繼續(xù)專注于改善定價并進一步強化產(chǎn)品組合。

在第三財季，美光科技的盈利超出預(yù)期，收入創(chuàng)歷史新高，并持續(xù)提升我們行業(yè)領(lǐng)先的 HBM 產(chǎn)能。我們還開始轉(zhuǎn)型至以細分市場為重點的新業(yè)務(wù)部門結(jié)構(gòu)。從第四財季開始，我們將公布這些新業(yè)務(wù)部門的收入、毛利率和營業(yè)利潤率指標。憑借強大的執(zhí)行力和差異化的產(chǎn)品組合，美光科技已做好準備，在第四財季再次保持領(lǐng)先地位，并實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的收入和顯著提升的盈利能力。感謝各位今天的參與。

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